Plasmaetsaus ohutkalvolaitteet

Plasmaetsaus ohutkalvolaitteeton huippuluokan ratkaisu, joka on suunniteltu ohuiden-kalvopinnoitteiden tarkkaan poistamiseen ja tarjoaa poikkeuksellisen suorituskyvyn pinnan muokkaamisessa ja jäännösten poistamisessa. Tämä laitteisto hyödyntää reaktiivisen ionisyövytyksen (RIE) tekniikkaa ja yhdistää kemialliset reaktiot ja fyysisen ionipommituksen tasaisen ja kontrolloidun kalvonpoiston saavuttamiseksi.

• Matala{0}}lämpötilakäsittely: Plasma Etching Thin Film Equipment toimii erittäin -alhaisissa lämpötiloissa minimoiden lämpörasituksen ja estää alustan muodonmuutoksia. Tämä ominaisuus on kriittinen herkille materiaaleille, kuten polymeereille ja tarkkuusoptiikalle.
• Säädettävä etsausnopeus: Ionilähteen ja substraatin välistä etäisyyttä voidaan säätää dynaamisesti korkeussäädettävän{0}}pyörivän alustan avulla, mikä mahdollistaa etsausnopeuden tarkan hallinnan (jopa 30 nm/min) erilaisten prosessivaatimusten täyttämiseksi.
• Korkea yhtenäisyys: Patentoiduilla ionisädelähteillä ja edistyneellä purkausteknologialla varustettu laite tuottaa korkean-tiheyden plasmaa varmistaen tasaisen syövytyksen ja tasalaatuiset tulokset halkaisijaltaan jopa 800 mm:n substraateilla.
• Kaksi{0}}toimintoa: Kalvon poiston lisäksi tämä järjestelmä voidaan räätälöidä monitoimisovelluksiin, mukaan lukien pintapuhdistus ja esikäsittely myöhempiä pinnoitusprosesseja varten.

ThePlasman puhdistuskonetoimii fysikaalisen pommituksen ja ionisoidun kaasun (plasman) ohjaamien kemiallisten reaktioiden kehittyneen vuorovaikutuksen kautta. Ytimessä järjestelmä tuottaa plasmaa kohdistamalla radiotaajuista (RF) energiaa matalapaineiseen kaasuympäristöön (esim. happi, argon tai typpi). Tämä energia hajottaa kaasumolekyylit reaktiivisiksi lajeiksi, mukaan lukien ionit, elektronit ja vapaat radikaalit, muodostaen korkean{5}energisen plasmapilven.

1, Plasman sukupolvi:
Kun RF-tehoa (tyypillisesti 13,56 MHz tai 40 kHz) syötetään tyhjökammion elektrodeihin, kaasumolekyylit ionisoituvat. Tämä luo hehkupurkauksen, joka tuottaa vakaan plasmatilan. Prosessikaasujen valinta määrää hallitsevan reaktiomekanismin: happiplasma hapettaa erinomaisesti orgaanisia epäpuhtauksia, kun taas argonplasma tehostaa epäorgaanisten jäämien fyysistä sputterointia.

2, Puhdistusmekanismi:

• Fyysinen pommitus:Plasman -energiset ionit törmäävät pinnan epäpuhtauksiin ja rikkovat molekyylisidoksia ja irrottavat hiukkasia kineettisen energian siirron kautta. Tämä prosessi poistaa tehokkaasti hiukkaset ja heikosti tarttuneet kerrokset.
• Kemiallinen reaktio:Reaktiiviset radikaalit (esim. O⁎, OH⁎) ovat vuorovaikutuksessa orgaanisten epäpuhtauksien kanssa hajottaen ne haihtuviksi sivutuotteiksi (CO₂, H2O), jotka poistetaan tyhjiöjärjestelmän kautta.
• Pintaaktivointi:Samanaikaisesti plasmaaltistus muuttaa pinnan kemiaa luomalla polaarisia funktionaalisia ryhmiä (-OH, -COOH), mikä parantaa kostutettavuutta ja adheesiota myöhempiä prosesseja varten.

Vertailu ennen- ja sen jälkeistä-etsausta

• Esi-etsaus: Jäännöshiili{0}}pohjaiset kalvot (esim. DLC/ta-C-pinnoitteet) tai epäpuhtaudet voivat heikentää pinnan tarttuvuutta ja optista suorituskykyä.
• Lähetä-etsaus: Saavutetaan koskematon, epäpuhtaudet{0}}vapaa pinta, mikä parantaa myöhempien pinnoitteiden tarttuvuutta ja parantaa tuotteiden luotettavuutta kulutuselektroniikassa, optiikassa ja uusiutuvassa energiassa.

• Etsauskaasu: Ar, O2
• Virtalähde: 380V/50Hz, 10 kW
• Tyhjiöjärjestelmä: Molekyylipumppu peruspaineella Vähemmän tai yhtä suuri kuin 5,0 × 10⁻⁴ Pa
• Räätälöinti: Kammion koko ja ulkomitat voidaan räätälöidä asiakkaan tarpeiden mukaan.

• Ohut{0}}kalvonpoisto optisille linsseille, näyttöpaneeleille ja tarkkuustyökaluille.
• Pintakäsittely{0}}3C-elektroniikassa, lääketieteellisissä laitteissa ja uudessa energiateollisuudessa.