Tuotteen yleiskatsaus

 

IAE-Series Ion Asisted Evaporation Thin Film Equipment -laitteisto yhdistää fyysisen höyrypinnoituksen (PVD) reaaliaikaiseen-ionisuihkupommitukseen. Ohjaamalla energisiä ioneja substraatille lämpö- tai elektronisäteen haihdutuksen aikana järjestelmä siirtää vauhtia tiivistyville adatomeille ja muuttaa kasvavan kalvon mikrorakennetta.


Tämä kineettinen energiansiirto eliminoi pylväsmäisiä tyhjiöitä, estää kosteuden imeytymisen ja lukitsee taitekertoimen ympäristön kosteusmuutoksia vastaan. Optisten ja puolijohteiden tuotantolinjojen jatkuvaan monivuorokäyttöön suunniteltu alusta käsittelee substraatteja -tarkkuuslaseroptiikasta piikiekoihin.

 
  • Ioniavusteiset tyhjöhaihdutuslaitteet
    Ioni-avusteinen tyhjiöhaihdutusjärjestelmä integroi korkea-tyhjiölämpö- tai elektronisuihkuhöyrystyslähteet-Kaufman--tyyppiseen tai End-Hall-ionilähteeseen. Pommittamalla kasvavaa kalvoa...
    Katso lisää
  • Ioniavusteinen ohutkalvopinnoitusjärjestelmä
    Ion-Assisted Thin Film Deposition System integroi moni-taskuelektroni-säteen/lämpöhaihdutuksen tehokkaan-End-Hall- tai Kaufman--tyyppiseen ionilähteeseen. Fysikaalisen höyrypinnoituksen (PVD)...
    Katso lisää
  • Ionisädeavusteiset haihdutuslaitteet
    IBAE-järjestelmä yhdistää elektronisäteen{0}}tai lämpöhaihdutuksen integroidun leveän-säteen ionilähteeseen. Samanaikainen ionipommitus kalvon kasvun aikana siirtää kineettistä energiaa...
    Katso lisää
  • Ioni{0}}ohutkalvopinnoituslaitteet
    IA-Series Ion Assisted Thin Film Deposition Equipment -laitteisto integroi elektronisäteen lämpöhaihdutuksen Kaufman- tai End-Hall-ionilähteeseen. Energinen ionipommitus (argon/happisekoitus)...
    Katso lisää
  • Ioni{0}}ohutkalvojärjestelmä
    Ion{0}}Assisted Evaporation (IAE) -ohutkalvojärjestelmä yhdistää fyysisen höyrypinnoituksen (PVD) energiseen ionisuihkupommitukseen. Termisen tai elektronisäteen haihdutuksen aikana Kaufman- tai...
    Katso lisää
  • Ioni{0}}ohutkalvolaitteet
    Teollinen-luokan ioni-avusteinen haihdutusjärjestelmä (IAE), joka integroi moni-taskuelektroni-höyrystyksen energisen ionisuihkulähteen kanssa (End-Hall- tai Kaufman-kokoonpano). Reaaliaikainen...
    Katso lisää
 
Tekniset tiedot

 

Parametri

Erittely

Lopullinen peruspaine

< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping)

Haihtumislähteet

Monitaskuinen E--sädepistooli (4 × 15–40 cc) ja resistiiviset lämmönlähteet

Ionilähteen tyyppi

Gridless End-Hall / Kaufman--tyyppinen ionilähde (säteen jännite: 50–1500 V, ionivirta: 0,1–3 A)

Kalvon paksuuden säätö

Kvartsikidemikrovaaka (QCM) + optinen valvontajärjestelmä (OMS), tarkkuus ± 0,1 nm

Alustan kiinnitys

Planetaarinen pyöritysteline, kupolin säde mukautettu substraatin geometriaan

Alustan lämmitys

Säteilylämmitinryhmä, jopa 350 astetta ja ± 2 asteen PID-tasaisuus

Ohjausarkkitehtuuri

PLC + Industrial PC, automatisoitu reseptien suoritus, SECS/GEM-yhteensopiva tiedonkeruu

 

Ioniavusteinen saostusprosessi

 

Höyryntuotanto:

Materiaali haihdutetaan e-sädeupokaasta tai lämpöveneestä kontrolloiduilla saostusnopeuksilla (0,1–2,0 nm/s).

01

Momentumin siirto:

Energiset ionit (Ar⁺, O⁺) pommittavat substraatin pintaa samanaikaisesti E--säteestä tai lämpölähteestä saapuvan höyryvuon kanssa.

02

Mikrorakenteen muutos:

Ioniisku lisää adatomin pinnan liikkuvuutta, estää pylväsrakeiden kasvua ja saavuttaa lähes -bulkkitiheyden (pakkaustiheys > 99 %).

03

Stökiometrinen korjaus:

Reaktiivinen ioniavustus (O₂) varmistaa sub{0}}oksidien täydellisen hapettumisen metallioksidikalvoissa (esim. Ta2O5, Nb2O5, SiO₂), mikä eliminoi absorptiokaistat UV-NIR-spektrissä.

04

 

Filmimateriaalit
 
 

Oksidit:

SiO2, Ta205, TiO2, Nb2O5, HfO2 (Suuri taitekerroin stabiilius optisille suodattimille).

 
 
 

Fluorit:

MgF₂, LaF3 (Matala taitekerroin kerrokset laajakaistaisille AR-pinnoitteille).

 
 
 

Metallit:

Al, Ag, Au, Ti (adheesiokerrokset ja metalliset heijastimet).

 

 

Sovellukset

Laser- ja tarkkuusoptiikka:

Kaistanpäästösuodattimet, dikroiset peilit ja lasersuojapinnoitteet, jotka vaativat korkean laser{0}}vauriokynnyksen (LIDT) ja nollaspektrisiirtymän lämpörasituksen alaisena.

LiDAR-suojalasi:

Kestävät heijastamattomat (AR) ja -likaantumista estävät ohuet kalvot, jotka kestävät ankaria ulkosää.

productcate-550-450
productcate-550-450

Puolijohdepakkaus:

Kosteussuoja{0}}kapselointikerrokset ja metalliset kosketustyynyt, jotka on kerrostettu alhaisissa substraattilämpötiloissa.

Biolääketieteen anturit:

Bioyhteensopivat optiset häiriöpinnoitteet diagnostisille mikrofluidisiruille.

 

 
 
Räätälöinti

Kammiot ja sisäiset asettelut on suunniteltu tiettyjen valmistusjalanjälkien ja prosessivaatimusten mukaan:

01.

Kammion mitat:

Skaalattavissa R=600 mm T&K-yksiköistä R=1200 mm korkean-kapasiteetin tuotantojärjestelmiin.

02.

Pumppauspaketit:

Konfiguroitavissa Maglev-turbomolekyylipumpuilla, kryopumpuilla ja Roots-puhaltimen tukilinjoilla kaasukuormitusvaatimusten mukaan.

03.

Lähteen integrointi:

Kaksois-ionilähdekokoonpanot tai yhteis-pinnoitusasetukset monimutkaisille metalliseos- ja monikerroksisille gradienttikalvoille{2}}.

04.

Automaatiotaso:

Integrointi automatisoituihin puhdastila-substraatin siirtojärjestelmiin (EFEM / Vacuum Cluster Tools).

 

Laadunvalvonta
 

Vuodon havaitseminen:

Jokaisen tyhjiökammion heliumin vuoto-testataan massaspektrometrillä (vuotonopeus < 1,0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s).

Komponenttien jäljitettävyys:

Tyhjiöventtiilit, massavirtauksen säätimet (MFC) ja virtalähteet, jotka on hankittu hyväksytyiltä Tier-1 teollisuusmerkeiltä (MKS, Inficon, VAT).

Tehdashyväksyntätestaus (FAT):

Suorita-testit, jotka varmistavat peruspaineen, pumppauskäyrän, lähteen vakauden ja 24-tunnin jatkuvan tyhjän kammion kestävyyden ennen toimitusta.

Metrologinen validointi:

Näyteajot varmistettiin spektrofotometrillä (läpäisy/heijastus) ja atomivoimamikroskopialla (pinnan karheus Ra < 0,5 nm).

 

Asennus ja tekninen tuki
 
 
 

Sivuston valmisteluopas:

Kattavat käyttövaatimukset toimitetaan ennen toimitusta (jäähdytysveden virtaus/paine, puhdastilan paineilma, sähkönjakelu, poistoilmanpoisto).

 
 

Avaimet käteen -käyttöönotto:

Kenttähuollon insinöörit hoitavat mekaanisen kokoonpanon, tyhjiöpaistuksen-, ionisuihkukalibroinnin ja alkuprosessin reseptin-allekirjoituksen paikan päällä-.

 
 

Kuljettajan koulutus:

Strukturoitua{0}}koulutusta, joka kattaa rutiinihuollon, tyhjiöturvallisuuden, ohjelmiston käytön ja vianetsinnän.

 
 

Elinkaarituki:

Etädiagnostiikkaliittymä nopeaan ohjelmiston vianmääritykseen; kriittisten kuluvien tuotteiden (filamentit, upokkaat, suojukset) alueellinen varasto, joka lähetetään 48 tunnin kuluessa.

 

 

 

FAQ

 

 

K: Kuinka ioniavustus estää optisten suodattimien spektrin siirtymisen?

V: Perinteinen lämpöhaihdutus jättää kalvoon mikroskooppisia aukkoja, jotka imevät ympäristön kosteutta ja muuttavat fyysistä paksuutta ja taitekerrointa. Ionipommitus nostaa kalvon pakkaustiheyden yli 99 %, mikä tiivistää mikrorakenteen kosteuden tunkeutumista vastaan ​​ja lukitsee optiset parametrit vakaiksi vaihtelevissa kosteusympäristöissä.

K: Mikä on ionilähdeverkon tyypillinen huoltoväli?

V: Prosessikaasuista (Ar vs. reaktiivinen O₂) ja käyttötehosta riippuen verkkohuoltoa tarvitaan 150–300 käsittelytunnin välein. Ristikoton pää-Hallisuunnittelu laajentaa käyttöikkunoita merkittävästi eliminoimalla sputtering-kulumiseen alttiit fyysiset ristikot.

K: Voiko tämä laite integroida olemassa olevan tehdasautomaation kanssa?

V: Kyllä. Ohjausohjelmisto tukee SECS/GEM- ja OPC UA-protokollia, mikä mahdollistaa suoran yhteyden Manufacturing Execution Systemsiin (MES) reseptien hallintaa ja erän seurantaa varten.

Meidät tunnetaan-yhdeksi johtavista ioniavusteisten haihdutusohutkalvolaitteiden valmistajista ja toimittajista Kiinassa. Jos aiot ostaa Kiinassa valmistettuja räätälöityjä ioni-avusteisia ohutkalvolaitteita, voit tilata hinnaston tehtaaltamme. Hintaneuvontaa varten ota yhteyttä.

Lähetä kysely
Ota yhteyttäjos sinulla on kysyttävää

Voit ottaa meihin yhteyttä joko puhelimitse, sähköpostitse tai alla olevalla verkkolomakkeella. Asiantuntijamme ottaa sinuun yhteyttä pian.

Ota yhteyttä nyt!