PVD Multi{0}}Prosessoi ohutkalvolaitteet

PVD Multi{0}}Prosessoi ohutkalvolaitteet

Tiedot
PVD Multi{0}}Process Thin Film Equipment on integroitu tyhjiöpinnoitusalusta, joka on suunniteltu yhdistämään useita ohut{1}}kalvojen valmistustekniikoita – mukaan lukien RF/DC-magneettiruiskutus, lämpöhaihdutus ja elektronisuihkuhaihdutus – yhtenäisessä tyhjiöarkkitehtuurissa.
Luokituksen
PVD-komposiittiohutkalvolaitteet
 
Lähetä kysely
Kuvaus
Tekniset parametrit

PVD Multi-Process Thin Film Equipment on integroitu tyhjiöpinnoitusalusta, joka on suunniteltu yhdistämään useita ohut-kalvon valmistustekniikoita-, mukaan lukien RF/DC-magneettiruiskutus, lämpöhaihdutus ja elektronisuihkuhaihdutus-yhtenäisessä tyhjiöarkkitehtuurissa.


Tämä järjestelmä eliminoi alipainekontaminaation erillisten prosessikerrosten välillä, mikä mahdollistaa monimutkaisten monikerroksisten metalli-, dielektristen ja puolijohdekalvojen kerrostamisen ilman ympäristöaltistusta. Se on määritetty laboratorioiden T&K-klustereita tai pilotti-linjatuotantoa varten, ja siihen mahtuu halkaisijaltaan jopa 300 mm:n alustat tai mukautetut alustat.

 

Tekniset tiedot

 

Parametri

Tekniset tiedot

Lopullinen peruspaine

< 5.0 x 10^-6 Pa (Achieved via Turbo-Molecular and Cryogenic Pumping)

Kammion materiaali

304L / 316L ruostumaton teräs, sähkö-kiillotettu (Ra < 0,25 um)

Alustan yhteensopivuus

Piikiekot (jopa 300 mm), lasi, kvartsi, metallikalvot, joustavat alustat

Laskeumalähteet

Jopa 4 sputterkatodia (2- tuumasta 4 tuumaan), 2 E-Beam taskua, 2 lämpövenettä

Filmin yhtenäisyys

+/- 1% 200 mm:n substraattialueella (kierto-avustettu)

Alustan lämmitys

Ympäröivä lämpötila 800 C ja PID suljettu{1}}lämpötilan säätö

Virtalähteet

DC (jopa 5 kW), RF (13,56 MHz, enintään 2 kW), pulssimainen tasavirta reaktiiviseen sputterointiin

Järjestelmän ohjaus

PLC + Industrial PC, SCADA-ohjelmisto, täydellinen reseptiautomaatio ja manuaalinen ohitus

 

Tärkeimmät ominaisuudet


Modulaarinen tyhjiöarkkitehtuuri:Luistiventtiileillä yhdistetyt itsenäiset prosessikammiot estävät ristikontaminaation reaktiivisen sputteroinnin ja korkean -tyhjiöhaihdutuksen välillä.


In-tyhjiöalustan siirto:Magneettiset tai lineaariset siirtovarret ylläpitävät suurta tyhjiötä (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.


Nopea-Vaihda lähdelaipat:Sputterkatodit ja e-sädeupokkaat on asennettu tavallisiin CF-laippoihin nopeaa huoltoa ja kohteen vaihtoa varten.


Edistynyt kryogeeninen pyynti:Integroidut nestemäisen typen kylmälukot ja Meissner-luukut minimoivat vesihöyryn jäännöspaineen kammion sisällä.


Suljetun{0}}silmukan paksuuden valvonta:Dual quartz crystal microbalance (QCM) anturit antavat reaaliaikaisen-kerrostumisnopeuden ja paksuuden takaisinkytkennän, joka liittyy suoraan virtalähteen säätelyyn.

 

Tyhjiöjärjestelmän kokoonpano


Roughing vaihe:Öljy-vapaat rullapumput yhdistettynä monivaiheisiin-juuripuhaltimiin estämään hiilivetyjen takaisin-virtauksen.


Korkea tyhjiövaihe:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 l/s N2) ja valinnaiset kryopumput korkean vesihöyryn{2}}läpäisykyvyn saavuttamiseksi.


Paineensäätö:Baratron-kapasitanssimanometrit absoluuttisen paineen mittaamiseen kaasulajeista riippumatta, yhdistettynä automaattisiin kuristusventtiileihin prosessikaasun tarkan paineen säätöön (0,1 Pa - 10 Pa).


Vuodon havaitseminen:Heliumvuoto-testattu arvoon < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s ennen tehdashyväksyntätestausta (FAT).

 

Haihtumismateriaalien ja alustan yhteensopivuus


Johtavat tavoitteet:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.


Dielektriset materiaalit:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (reaktiivisen sputteroinnin tai e-säteen kautta).


Substraattityypit:
Puolijohdekiekot (pii, galliumarsenidi, indiumfosfidi).


Optiset aihiot (sulatettu piidioksidi, BK7, Sapphire).


Joustavat rainat ja ohuet metallilevyt (polyimidi, ruostumaton teräsfolio).

 

Sovellukset ja vahvistetut suorituskykytiedot


Optoelektroniikka:Läpinäkyvien johtavan oksidin (TCO) kerrosten ja heijastamattomien (AR) optisten suodatinpinojen kerrostaminen.


Puolijohdelaitteiden valmistus:Ohmisen kontaktien, Schottky-sulkujen, siemenkerrosten muodostuminen galvanoinnissa ja diffuusioesteet (Ti/TiN).


Anturin valmistus:Ohut-kalvometalliset venymämittarit, mikro-lämmitinelementit ja pietsosähköiset muuntimet.


Kehittynyt T&K:Tutkiva monikerroksinen-ohut{1}}kalvosynteesi kvanttilaskentakomponenteille ja uusille energian varastointimateriaaleille.

 

Räätälöintiasetukset


Kammion geometria:Kammion mittojen laajentaminen ei--standardeille tai ylisuurille eräsubstraateille.


Lähteen integrointi:Mukautetut jakosuhteet magnetronisputterointipistoolien ja elektronisuihkuhaihdutustaskujen välillä.


Bias sputtering:Substraatin RF/DC-esijännitysvaihtoehdot kalvon tiivistämiseen ja jännityksen hallintaan.


Lataa{0}}Lukon integrointi:Automaattisten kuormaus{0}}lukkokammioiden lisäys korkean tyhjiön eheyden ylläpitämiseksi-suorituskykyisten latausjaksojen aikana.

 

Laadunvalvonta ja tehdastestaus


Materiaalin jäljitettävyys:Tehdastestitodistukset (MTC:t) toimitetaan kaikille tyhjiö{0}}puolen ruostumattomasta teräksestä oleville komponenteille ja rakennerungoille.


Puhdastilan kokoonpano:Lopullinen integrointi ja hiukkas{0}}määrän tarkistus suoritettu ISO Class 6 -puhdastilaympäristössä.


Tehdashyväksyntätestaus (FAT):72-tunnin jatkuva tyhjiöpaistotesti, vuototestaus jäännöskaasuanalysaattorin (RGA) massaspektrometrialla ja peruskalvopinnoitusajo, joka varmistaa paksuuden tasaisuuden.

 

Asennus ja tekninen tuki


Sivuston valmisteluopas:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 l/min), paineilma, prosessikaasulinjat (Ar, O2, N2, puhtaus 99,999%) ja sähkökuormitusvaatimukset (3-vaiheinen 380V/480V).


Käyttöönotto:Tehtaan kenttähuoltoinsinöörien suorittama-asennus, tyhjiökalibrointi ja yhteiskoe-.


Kuljettajan koulutus:Strukturoitu 5-päiväinen koulutus paikan päällä, joka kattaa rutiinihuollon, tyhjiöturvallisuusprotokollat, reseptien ohjelmoinnin ja perusvianmäärityksen.

 

Usein kysytyt kysymykset

 

K: Mikä on tyypillinen pumpun{0}}seisokkiaika ilmakehästä lopulliseen peruspaineeseen?

V: Käyttämällä öljytöntä-rouhintaa ja turbo-molekyylipumppukokoonpanoa, järjestelmä saavuttaa < 5,0 x 10^-6 Pa:n peruspaineen 45 minuutissa kuivasta, puhtaasta käynnistyksestä.

K: Voidaanko järjestelmä päivittää kentällä yksikammiosta monikammioiseksi{0}}klusteriksi?

V: Kyllä. Modulaarinen runkorakenne sisältää vakiomuotoiset ConFlat (CF) -laippaportit ja standardoidut mekaaniset kohdistusliitännät, jotka mahdollistavat lisäpinnoituslähteiden tai kuormitus{1}}lukkomoduulien integroinnin laitoksessasi.

K: Mitkä turvalukot on integroitu ohjausjärjestelmään?

V: PLC-arkkitehtuuri sisältää laitteiston{0}}tason lukituksia jäähdytysveden virtaushäiriön, paineilman paineen laskun, tukipumpun tilan, ylilämpötilan -tilan ja tyhjökammion vahingossa tapahtuvan tuuletussuojan.

 

Suositut Tagit: pvd multi{0}}prosessi ohutkalvolaitteet, Kiina pvd multi-prosessi ohutkalvolaitteiden valmistajat, toimittajat, tehdas

Lähetä kysely
Ota yhteyttäjos sinulla on kysyttävää

Voit ottaa meihin yhteyttä joko puhelimitse, sähköpostitse tai alla olevalla verkkolomakkeella. Asiantuntijamme ottaa sinuun yhteyttä pian.

Ota yhteyttä nyt!