PVD Multi-Process Thin Film Equipment on integroitu tyhjiöpinnoitusalusta, joka on suunniteltu yhdistämään useita ohut-kalvon valmistustekniikoita-, mukaan lukien RF/DC-magneettiruiskutus, lämpöhaihdutus ja elektronisuihkuhaihdutus-yhtenäisessä tyhjiöarkkitehtuurissa.
Tämä järjestelmä eliminoi alipainekontaminaation erillisten prosessikerrosten välillä, mikä mahdollistaa monimutkaisten monikerroksisten metalli-, dielektristen ja puolijohdekalvojen kerrostamisen ilman ympäristöaltistusta. Se on määritetty laboratorioiden T&K-klustereita tai pilotti-linjatuotantoa varten, ja siihen mahtuu halkaisijaltaan jopa 300 mm:n alustat tai mukautetut alustat.
Tekniset tiedot
|
Parametri |
Tekniset tiedot |
|
Lopullinen peruspaine |
< 5.0 x 10^-6 Pa (Achieved via Turbo-Molecular and Cryogenic Pumping) |
|
Kammion materiaali |
304L / 316L ruostumaton teräs, sähkö-kiillotettu (Ra < 0,25 um) |
|
Alustan yhteensopivuus |
Piikiekot (jopa 300 mm), lasi, kvartsi, metallikalvot, joustavat alustat |
|
Laskeumalähteet |
Jopa 4 sputterkatodia (2- tuumasta 4 tuumaan), 2 E-Beam taskua, 2 lämpövenettä |
|
Filmin yhtenäisyys |
+/- 1% 200 mm:n substraattialueella (kierto-avustettu) |
|
Alustan lämmitys |
Ympäröivä lämpötila 800 C ja PID suljettu{1}}lämpötilan säätö |
|
Virtalähteet |
DC (jopa 5 kW), RF (13,56 MHz, enintään 2 kW), pulssimainen tasavirta reaktiiviseen sputterointiin |
|
Järjestelmän ohjaus |
PLC + Industrial PC, SCADA-ohjelmisto, täydellinen reseptiautomaatio ja manuaalinen ohitus |
Tärkeimmät ominaisuudet
Modulaarinen tyhjiöarkkitehtuuri:Luistiventtiileillä yhdistetyt itsenäiset prosessikammiot estävät ristikontaminaation reaktiivisen sputteroinnin ja korkean -tyhjiöhaihdutuksen välillä.
In-tyhjiöalustan siirto:Magneettiset tai lineaariset siirtovarret ylläpitävät suurta tyhjiötä (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.
Nopea-Vaihda lähdelaipat:Sputterkatodit ja e-sädeupokkaat on asennettu tavallisiin CF-laippoihin nopeaa huoltoa ja kohteen vaihtoa varten.
Edistynyt kryogeeninen pyynti:Integroidut nestemäisen typen kylmälukot ja Meissner-luukut minimoivat vesihöyryn jäännöspaineen kammion sisällä.
Suljetun{0}}silmukan paksuuden valvonta:Dual quartz crystal microbalance (QCM) anturit antavat reaaliaikaisen-kerrostumisnopeuden ja paksuuden takaisinkytkennän, joka liittyy suoraan virtalähteen säätelyyn.
Tyhjiöjärjestelmän kokoonpano
Roughing vaihe:Öljy-vapaat rullapumput yhdistettynä monivaiheisiin-juuripuhaltimiin estämään hiilivetyjen takaisin-virtauksen.
Korkea tyhjiövaihe:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 l/s N2) ja valinnaiset kryopumput korkean vesihöyryn{2}}läpäisykyvyn saavuttamiseksi.
Paineensäätö:Baratron-kapasitanssimanometrit absoluuttisen paineen mittaamiseen kaasulajeista riippumatta, yhdistettynä automaattisiin kuristusventtiileihin prosessikaasun tarkan paineen säätöön (0,1 Pa - 10 Pa).
Vuodon havaitseminen:Heliumvuoto-testattu arvoon < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s ennen tehdashyväksyntätestausta (FAT).
Haihtumismateriaalien ja alustan yhteensopivuus
Johtavat tavoitteet:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.
Dielektriset materiaalit:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (reaktiivisen sputteroinnin tai e-säteen kautta).
Substraattityypit:
Puolijohdekiekot (pii, galliumarsenidi, indiumfosfidi).
Optiset aihiot (sulatettu piidioksidi, BK7, Sapphire).
Joustavat rainat ja ohuet metallilevyt (polyimidi, ruostumaton teräsfolio).
Sovellukset ja vahvistetut suorituskykytiedot
Optoelektroniikka:Läpinäkyvien johtavan oksidin (TCO) kerrosten ja heijastamattomien (AR) optisten suodatinpinojen kerrostaminen.
Puolijohdelaitteiden valmistus:Ohmisen kontaktien, Schottky-sulkujen, siemenkerrosten muodostuminen galvanoinnissa ja diffuusioesteet (Ti/TiN).
Anturin valmistus:Ohut-kalvometalliset venymämittarit, mikro-lämmitinelementit ja pietsosähköiset muuntimet.
Kehittynyt T&K:Tutkiva monikerroksinen-ohut{1}}kalvosynteesi kvanttilaskentakomponenteille ja uusille energian varastointimateriaaleille.
Räätälöintiasetukset
Kammion geometria:Kammion mittojen laajentaminen ei--standardeille tai ylisuurille eräsubstraateille.
Lähteen integrointi:Mukautetut jakosuhteet magnetronisputterointipistoolien ja elektronisuihkuhaihdutustaskujen välillä.
Bias sputtering:Substraatin RF/DC-esijännitysvaihtoehdot kalvon tiivistämiseen ja jännityksen hallintaan.
Lataa{0}}Lukon integrointi:Automaattisten kuormaus{0}}lukkokammioiden lisäys korkean tyhjiön eheyden ylläpitämiseksi-suorituskykyisten latausjaksojen aikana.
Laadunvalvonta ja tehdastestaus
Materiaalin jäljitettävyys:Tehdastestitodistukset (MTC:t) toimitetaan kaikille tyhjiö{0}}puolen ruostumattomasta teräksestä oleville komponenteille ja rakennerungoille.
Puhdastilan kokoonpano:Lopullinen integrointi ja hiukkas{0}}määrän tarkistus suoritettu ISO Class 6 -puhdastilaympäristössä.
Tehdashyväksyntätestaus (FAT):72-tunnin jatkuva tyhjiöpaistotesti, vuototestaus jäännöskaasuanalysaattorin (RGA) massaspektrometrialla ja peruskalvopinnoitusajo, joka varmistaa paksuuden tasaisuuden.
Asennus ja tekninen tuki
Sivuston valmisteluopas:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 l/min), paineilma, prosessikaasulinjat (Ar, O2, N2, puhtaus 99,999%) ja sähkökuormitusvaatimukset (3-vaiheinen 380V/480V).
Käyttöönotto:Tehtaan kenttähuoltoinsinöörien suorittama-asennus, tyhjiökalibrointi ja yhteiskoe-.
Kuljettajan koulutus:Strukturoitu 5-päiväinen koulutus paikan päällä, joka kattaa rutiinihuollon, tyhjiöturvallisuusprotokollat, reseptien ohjelmoinnin ja perusvianmäärityksen.
Usein kysytyt kysymykset
K: Mikä on tyypillinen pumpun{0}}seisokkiaika ilmakehästä lopulliseen peruspaineeseen?
V: Käyttämällä öljytöntä-rouhintaa ja turbo-molekyylipumppukokoonpanoa, järjestelmä saavuttaa < 5,0 x 10^-6 Pa:n peruspaineen 45 minuutissa kuivasta, puhtaasta käynnistyksestä.
K: Voidaanko järjestelmä päivittää kentällä yksikammiosta monikammioiseksi{0}}klusteriksi?
V: Kyllä. Modulaarinen runkorakenne sisältää vakiomuotoiset ConFlat (CF) -laippaportit ja standardoidut mekaaniset kohdistusliitännät, jotka mahdollistavat lisäpinnoituslähteiden tai kuormitus{1}}lukkomoduulien integroinnin laitoksessasi.
K: Mitkä turvalukot on integroitu ohjausjärjestelmään?
V: PLC-arkkitehtuuri sisältää laitteiston{0}}tason lukituksia jäähdytysveden virtaushäiriön, paineilman paineen laskun, tukipumpun tilan, ylilämpötilan -tilan ja tyhjökammion vahingossa tapahtuvan tuuletussuojan.
Suositut Tagit: pvd multi{0}}prosessi ohutkalvolaitteet, Kiina pvd multi-prosessi ohutkalvolaitteiden valmistajat, toimittajat, tehdas

